Cos'è il risonatore laser?

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Lo strumento che produce la luce della sorgente laser è chiamato risonatore laser, che include laser a gas, laser a liquido, laser a stato solido, dispositivi ottici a semiconduttore e altri laser. Tra questi, i laser più tipici sono CO₂ laser a gas, laser a semiconduttore, laser a stato solido YAG e laser a fibra.

Composizione di base e sviluppo del laser

La composizione di base del laser

Sebbene ci siano molti tipi di laser, tutti producono laser attraverso l'eccitazione e la radiazione stimolata. Pertanto, la composizione di base dei laser è fissa, solitamente composta da materiali di lavoro (cioè mezzi di lavoro che possono produrre inversione di popolazione dopo essere stati eccitati), fonti di eccitazione (l'energia che può far sì che la sostanza di lavoro inverta il numero di particelle, anche nota come sorgente della pompa) e la cavità risonante ottica sono composti da tre parti.

Sostanza di lavoro

La produzione del laser deve scegliere un materiale di lavoro adatto, che può essere gas, liquido, solido o semiconduttore. In questo mezzo, il numero di particelle può essere invertito per creare le condizioni necessarie per ottenere la luce laser. L'esistenza di livelli energetici metastabili è molto vantaggiosa per la realizzazione dell'inversione della popolazione. Esistono quasi mille tipi di materiali di lavoro e le lunghezze d'onda del laser che possono essere generate coprono un'ampia gamma di bande ultraviolette sotto vuoto fino a bande infrarosse lontane.

fonte di eccitazione

Per invertire il numero di particelle nella sostanza di lavoro, è necessario adottare un certo metodo per eccitare il sistema particellare e aumentare il numero di particelle ad alti livelli di energia. Il metodo della scarica di gas può utilizzare elettroni con energia cinetica per eccitare la sostanza di lavoro, che è chiamata eccitazione elettrica; la sorgente di luce pulsata può anche essere utilizzata per irradiare la sostanza di lavoro per produrre eccitazione, che è chiamata eccitazione ottica; ci sono eccitazione termica, eccitazione chimica e così via. Vari metodi di incentivazione sono chiaramente chiamati pompaggio o pompaggio. Per ottenere continuamente l'uscita laser, deve essere continuamente pompato per mantenere il numero di particelle nello stato eccitato.

Cavità ottica

Con un materiale di lavoro e una sorgente di eccitazione adeguati, l'inversione di popolazione può essere ottenuta, ma l'intensità della radiazione stimolata generata in questo modo è molto bassa e non può essere applicata. Quindi la gente pensava che una cavità risonante ottica potesse essere utilizzata per amplificare la radiazione stimolata. La cavità risonante ottica è composta da due specchi con una certa forma geometrica e caratteristiche di riflessione ottica combinate in modo specifico. Le sue funzioni principali sono le seguenti.

Fornire capacità di feedback ottico per far andare avanti e indietro i fotoni di emissione stimolati nella cavità più volte per formare un'oscillazione continua coerente.

Limitare la direzione e la frequenza del raggio oscillante nella cavità per garantire che il laser in uscita abbia una certa direzionalità e monocromaticità.

Lo sviluppo dei laser

Il laser è uno dei componenti fondamentali indispensabili nei moderni sistemi di lavorazione laser. Con lo sviluppo della tecnologia di elaborazione laser, anche i laser sono in costante progresso e sono comparsi molti nuovi laser.

I primi laser per la lavorazione della sorgente laser erano principalmente CO . ad alta potenza₂, laser a gas e laser a stato solido YAG pompati con lampada. Dal punto di vista della storia dello sviluppo della tecnologia di elaborazione laser, la CO . ad alto limite₂ e i laser apparsi a metà degli anni '70 hanno sviluppato CO . raffreddato per diffusione₂ laser. La tabella 2.1 mostra lo stato di sviluppo della CO₂ laser.

Tipo di laser	Tipo sigillato	Tipo a flusso assiale lento	Tipo di flusso incrociato	Tipo a flusso assiale veloce	Ventola turbo Flusso assiale veloce	Raffreddamento a diffusione tipo SLAB
Età di apparenza	Metà anni '70	Primi anni '80	Metà degli anni '80	Fine anni '80	Primi anni '90	XX secolo Metà anni '90
Potenza/W	500	1000	20000	5000	10000	5000
Qualità del raggio (M2 fattore	Instabile	1.5	10	5	2.5	1.2
Qualità del raggio (KF/mm• mrad)	Instabile	5	35	17	9	4.5

CO . precoce₂ i laser tendevano a svilupparsi nella direzione di aumentare la potenza del laser, ma quando la potenza del laser raggiungeva un certo requisito, si prestava attenzione alla qualità del raggio del laser e lo sviluppo del laser si spostava verso il miglioramento della qualità del raggio. Recentemente, la lastra raffreddata per diffusione CO₂ il laser, che è vicino al limite di diffrazione, ha una buona qualità del raggio ed è stato ampiamente utilizzato una volta lanciato, soprattutto nel campo del taglio laser, ed è preferito da molte aziende.

il CO₂ risonatore laser presenta gli svantaggi di grande volume, struttura complessa e difficile manutenzione. Il metallo non può assorbire bene il laser con la lunghezza d'onda di 10,6 чm, non può utilizzare la fibra ottica per trasmettere il laser e il plasma indotto dal tempo di saldatura è grave e altre carenze. Successivamente, il laser a stato solido YAG con una lunghezza d'onda di 1,06 чm sopperì alle carenze del CO₂ laser in una certa misura. I primi laser a stato solido YAG utilizzavano metodi di pompaggio della lampada, che presentavano problemi come bassa efficienza del laser (circa 3%) e scarsa qualità del raggio. Con il continuo progresso della tecnologia laser, i laser a stato solido YAG hanno continuato a fare progressi e sono comparsi molti nuovi laser. Lo stato di sviluppo dei laser a stato solido YAG è mostrato nella Tabella 2.2.

Tipo di laser	Lampada pompata	Diodo pompato	Fibra pompata	Fiocco DISC	Semiconduttore pompato all'estremità	laser a fibra
Età di apparenza	anni '80	Fine anni '80	Metà degli anni '90	Metà degli anni '90	Fine anni '90	All'inizio del 21° secolo
Potenza/W	6000	4400	2000	4000（prototipo）	200	10000
Qualità del raggio (M2 fattore)	70	35	35	7	1.1	70
Qualità del raggio (KF/mm• marzo)	25	12	12	2.5	0.35	25

Si può vedere dalla Tabella 2.1 e dalla Tabella 2.2 che oltre a migliorare continuamente la potenza del laser, un altro aspetto importante dello sviluppo del laser è migliorare continuamente la qualità del raggio del laser. La qualità del raggio laser gioca spesso un ruolo più importante nel processo di lavorazione del laser rispetto alla potenza del laser.

Lo sviluppo della produzione laser con laser la potenza e la qualità del raggio sono mostrate nella Figura 2.1.

All'inizio del 21° secolo apparve un altro nuovo tipo di laser a semiconduttore laser. Rispetto alla tradizionale CO . ad alta potenza₂ risonatore laser e laser a stato solido YAG, i laser a semiconduttore hanno evidenti vantaggi tecnici, come dimensioni ridotte, peso leggero, alta efficienza, basso consumo energetico, lunga durata e alto tasso di assorbimento dei laser da metallo a semiconduttore. Con il continuo sviluppo della tecnologia laser a semiconduttore, altri laser a stato solido basati su laser a semiconduttore, come laser a fibra, laser a stato solido pompati da semiconduttori e laser a foglio, si sono sviluppati rapidamente. Tra questi, i laser in fibra si stanno sviluppando rapidamente, in particolare i laser in fibra drogati con terre rare, che sono stati ampiamente utilizzati nelle comunicazioni in fibra, nel rilevamento delle fibre, nella lavorazione di materiali laser e in altri campi.

Da CO₂ laser a gas a laser a fibra

CO₂ laser a gas

Un laser che utilizza CO₂ poiché la principale sostanza di lavoro è chiamata CO₂ laser. Una piccola quantità di N² e deve essere aggiunto alla sua sostanza di lavoro per migliorare il guadagno, l'efficienza della resistenza al calore e la potenza di uscita del laser. CO₂ il laser ha le seguenti caratteristiche.

• La potenza di uscita è grande. La CO . generale a tubo chiuso₂ il laser può avere una potenza di uscita continua di decine di watt, che è molto più di altri laser a gas. Il flusso laterale di CO . eccitato elettricamente₂ il laser può avere una potenza continua di decine di kilowatt.
• Elevata efficienza di conversione energetica. L'efficienza di conversione energetica della CO₂ i laser possono raggiungere 30%~40%, che supera altri laser a gas.
• il CO₂ il laser utilizza la transizione tra i livelli di energia della CO₂ vibrazione molecolare e ha uno spettro relativamente ricco. Ci sono dozzine di righe spettrali nell'uscita laser vicino alla lunghezza d'onda di 10 μm. La CO . ad alta pressione₂ il laser sviluppato negli ultimi anni può raggiungere una potenza regolabile in continuo da 9 a 10 чm.
• La banda di uscita della CO₂ il laser è esattamente la finestra atmosferica (cioè la trasparenza dell'atmosfera a questa lunghezza d'onda è relativamente alta)
• Inoltre, CO₂ i laser hanno anche i vantaggi di un'elevata qualità del raggio di uscita, una buona coerenza, una larghezza di linea ridotta, un funzionamento stabile, ecc., Quindi sono stati ampiamente utilizzati nell'industria e nella difesa nazionale.

La struttura della CO₂ laser

Una tipica CO . elettricamente eccitata longitudinale sigillata₂ laser il risonatore è costituito da un tubo laser, elettrodi e una cavità risonante (Figura 2.2). Il componente più critico è un tubo laser in vetro duro, che generalmente adotta una struttura a manicotto a strati. Lo strato più interno è un tubo di scarico, il secondo strato è un tubo di rivestimento raffreddato ad acqua e lo strato più esterno è un tubo di stoccaggio del gas.

Il tubo di scarica si trova nell'area della colonna positiva della scarica a bagliore nella scarica di gas. Questa regione è ricca di particelle che trasportano energia, come elettroni, ioni, particelle metastabili e fotoni, che è la regione di guadagno del laser. Per questo motivo, esistono determinati requisiti per il diametro, la lunghezza, la rotondità e la rettilineità del tubo di scarico. La maggior parte delle apparecchiature al di sotto dei 100 W è realizzata in vetro duro. I dispositivi di media potenza (100~500W) sono generalmente realizzati con tubi di vetro al quarzo per garantire la stabilità della potenza o della frequenza. Il diametro del tubo è generalmente di circa 10 mm e la lunghezza del tubo può essere leggermente più spessa.

C'è una camicia di acqua fredda accanto al tubo di scarico, la sua funzione è quella di ridurre la temperatura del gas di lavoro nel tubo, per garantire che il dispositivo realizzi la distribuzione di inversione della popolazione e per evitare che il tubo di scarico si scaldi e si rompa durante il processo di eccitazione della scarica. Lo scopo dell'aggiunta di un involucro raffreddato ad acqua è quello di raffreddare l'aria e il gas in modo che la potenza di uscita rimanga stabile. Il tubo di scarico è collegato ad entrambe le estremità al tubo di stoccaggio del gas. Un'estremità del tubo di stoccaggio del gas ha un piccolo foro comunicante con il tubo di scarico e l'altra estremità è collegata al tubo di scarico attraverso il tubo di ritorno a spirale in modo che il gas possa circolare nel tubo di scarico e nel tubo di stoccaggio del gas. Il gas nel tubo può essere scambiato con il gas nel tubo di stoccaggio del gas in qualsiasi momento.

La funzione del tubo di stoccaggio del gas più esterno è quella di ridurre la variazione della composizione e della pressione del gas di lavoro durante il processo di scarica e di migliorare la stabilità meccanica del tubo di scarica.

Il tubo di ritorno dell'aria è un sottile tubo a spirale che collega i due spazi del catodo e dell'anodo, che può migliorare la distribuzione sbilanciata della pressione tra gli elettrodi causata dal fenomeno dell'elettroforesi. Il valore del diametro e della lunghezza del tubo di ritorno è molto importante. Non solo consente al gas al catodo di fluire rapidamente nell'area dell'anodo per ottenere una distribuzione uniforme del gas, ma impedisce anche il fenomeno di scarica nel tubo di ritorno.

Gli elettrodi si dividono in anodo e catodo. Il materiale del catodo richiede la capacità di emettere elettroni, un basso tasso di sputtering e la capacità di ridurre la CO₂. Attualmente, la maggior parte della CO₂ e i risonatori laser utilizzano elettrodi di nichel e l'area dell'elettrodo è determinata dal diametro interno del tubo di scarica e dalla corrente di lavoro. L'elettrodeposizione è coassiale al tubo di scarica. La dimensione dell'anodo può essere uguale a quella del catodo, oppure può essere leggermente più piccola.

La cavità risonante è composta da uno specchio totale e da uno specchio di uscita. Gli specchi a riflessione totale di CO . di media e bassa potenza₂ I risonatori laser generalmente utilizzano specchi di vetro placcati in oro, poiché il film d'oro ha un'elevata riflettività di 10,6 μm di luce ed è chimicamente stabile. Tuttavia, gli specchi con substrato di vetro hanno una scarsa conduttività termica, quindi CO . ad alta potenza₂ i laser usano spesso specchi metallici, come specchi di rame o specchi di molibdeno, o specchi rivestiti con oro e pellicola dielettrica su un substrato di acciaio inossidabile di rame privo di ossigeno lucidato. Lo specchio di uscita di solito utilizza un materiale in grado di trasmettere una lunghezza d'onda di 10,6 um come substrato e su di esso viene applicato un film multistrato per controllare una certa trasmittanza per ottenere la migliore uscita di accoppiamento. I materiali comunemente usati sono cloruro di potassio, cloruro di sodio, alluminio, arsenico, seleniuro di zinco, tellururo di cadmio e così via.

La cavità risonante della CO₂ il laser è solitamente piatto e concavo. Lo specchio totale è realizzato in vetro ottico K8 o quarzo ottico, che viene trasformato in uno specchio concavo con un ampio raggio di curvatura. La superficie dello specchio è rivestita con una pellicola metallica ad alta riflettività, una pellicola placcata in oro, a una lunghezza d'onda di 10,6чm. La riflettività nel punto raggiunge 98,8% e le proprietà chimiche sono stabili.

La luce emessa dall'anidride carbonica è luce infrarossa, quindi gli specchi completamente riflettenti devono utilizzare materiali che trasmettono luce infrarossa. Poiché il normale vetro ottico non è trasparente alla luce infrarossa, è necessario aprire un piccolo foro al centro dello specchio totale e quindi sigillare un pezzo di materiale a infrarossi in grado di trasmettere laser da 10,6 m per sigillare il gas, il che rende il laser in la cavità risonante a parte è un'uscita dal piccolo foro all'esterno della cavità per formare un raggio di luce laser o lama di luce.

La corrente di scarica della CO . sigillata₂ risonatore laser è relativamente piccolo. Viene utilizzato l'elettrodo freddo e il catodo è costituito da un foglio di molibdeno o da un foglio di nichel a forma cilindrica. La corrente di lavoro è 30~40MA, l'area del cilindro del catodo è 500cm², per non inquinare la lente, viene aggiunta una barriera fotoelettrica tra catodo e lente. La pompa è eccitata da un'alimentazione CC continua.

Caratteristiche di uscita della CO₂ sistema laser

CO . a flusso incrociato₂ risonatore laser. Il flusso di gas è perpendicolare all'asse della cavità. il CO₂ il laser con questa struttura ha qualità anabbaglianti e viene utilizzato principalmente per il trattamento superficiale dei materiali e generalmente non viene utilizzato per il taglio. Rispetto ad altre CO₂ laser, CO . a flusso incrociato₂ i laser hanno un'elevata potenza di uscita, qualità del raggio anabbagliante e prezzi bassi.

CO . a flusso incrociato₂ i laser possono utilizzare l'eccitazione in corrente continua (DC) e l'eccitazione ad alta frequenza (HF) e gli elettrodi sono posizionati su entrambi i lati della zona del plasma parallelamente all'asse della cavità. L'accensione e la tensione operativa del plasma sono basse, il gas scorre attraverso la zona del plasma perpendicolare al raggio e il passaggio del gas che scorre attraverso il sistema di elettrodi è molto ampio, quindi la resistenza al flusso è molto piccola, il raffreddamento del il plasma è molto efficace e la potenza del laser non è troppo grande. Molte restrizioni.

La lunghezza di questo tipo di laser è inferiore a 1 m, ma può generare 8 KW di potenza. Tuttavia, a causa del flusso laterale di gas attraverso il plasma, questo tipo di laser soffia il plasma lontano dal circuito di scarica principale, facendo deviare l'area del plasma sulla sezione del raggio più o meno in un triangolo, la qualità del raggio non è elevata e vengono visualizzate le modalità di ordine superiore. Se viene utilizzato un foro circolare per limitare la modalità, la simmetria del raggio può essere migliorata in una certa misura.

CO . a flusso assiale veloce₂ risonatore laser. La struttura è mostrata in Figura 2.3. Il flusso di gas laser di questo tipo di CO₂ il laser è lungo l'asse del risonatore. La potenza in uscita di CO₂ laser con questa struttura va da centinaia di watt a 20KW. La qualità del raggio di uscita è migliore ed è la struttura principale attualmente utilizzata nel taglio laser.

CO . a flusso assiale veloce₂ i laser possono utilizzare l'eccitazione in corrente continua (DC) e l'eccitazione a radiofrequenza (RF). La forma del plasma tra gli elettrodi è una colonna sottile. Per evitare che il plasma si disperda nell'area circostante, questo tipo di area di scarico è spesso in un tubo di vetro cilindrico cavo o in un tubo di ceramica. Il plasma può essere acceso e mantenuto ad entrambe le estremità dei due elettrodi ad anello. La tensione di accensione e di funzionamento dipende dall'elettrodo. La tensione massima utilizzata nelle applicazioni pratiche è 20~30KV.

The cooling of the circulating gas adopts the form of rapid axial flow. In order to ensure effective heat conduction, Roots blowers or adjustable wheel fans are commonly used to achieve this high-speed flow, but the flow resistance of this geometric shape is relatively high, and the output laser power is subject to certain limitations, such as the laser output of only a few hundred watts of the DC exciter. The output power of the laser is limited, so several axial flow cooling discharge tubes are often connected in the optical form to provide sufficient laser power.

Since the output power of the CO₂ laser resonator mainly depends on the electrical power input per unit volume, the RF excitation is higher than the DC excitation and the plasma density is higher. The RF excitation axial flow laser in which several axial cooling discharge tubes are connected in an optical form, continuous The output power can reach 20KW. Axial CO₂ lasers, due to the axial symmetry of the plasma, are easy to operate in the fundamental mode and produce high beam quality.

Slat-type diffusion cooling CO₂ laser. Diffusion-cooled CO₂ lasers are similar to the early sealed-off CO₂ lasers. The working gas of the sealed-off CO₂ laser is enclosed in a discharge tube and cooled by heat conduction. Although the outer wall of the discharge tube is effectively cooled, the discharge tube can only generate 50W of laser energy per meter, and it is impossible to make a compact, high-energy laser. Diffusion-cooled CO₂ lasers also use gas-enclosed methods, but the lasers are compact structures, the gas discharge excited by radiofrequency occurs between two copper electrodes with a larger area. The electrodes can be cooled by water cooling, and the narrow gap between the two electrodes can dissipate heat from the discharge cavity as much as possible so that a relatively high output power density can be obtained.

The diffusion-cooled CO₂ laser resonator adopts a stable resonant cavity composed of cylindrical mirrors. Since the optically unstable cavity can easily adapt to the geometry of the excited laser gain medium, the slab-type diffusion-cooled CO₂ laser can produce high-power-density laser beams, and the laser beam quality High, but the original output beam of this type of laser is rectangular, and a water-cooled reflected beam shaping device is required to shape the rectangular beam into a circular symmetrical laser beam. At present, the output power range of this type of laser is 1~5KW.

Compared with gas flow CO₂ lasers, slab diffusion cooling CO₂ lasers have the characteristics of compact and sturdy structure and have an outstanding advantage, that is, in practical applications, they do not need to be fresh as gas flow CO₂ lasers. Laser working gas, but a small about 10L cylindrical container is installed in the laser head to store the laser working gas. This can be achieved through an external laser working gas supply device and a water permanent gas tank exchanger. This kind of executive agency has been working for more than one year.

A semiconductor laser

Semiconductor laser refers to a type of laser with semiconductor as its working material. Compared with other lasers, semiconductor lasers have the advantages of small size, high efficiency, simple and robust structure, and direct modulation. Semiconductor lasers have important applications in communications, ranging and information processing.

Semiconductor foundation

Pure semiconductors without impurities are called intrinsic semiconductors. If impurity atoms are doped into intrinsic semiconductors, impurity levels are formed below the conduction band and above the valence band, which are called donor level and acceptor level, respectively. Figure 2.4 shows the impurity levels of Si single crystal semiconductors.

Semiconductor materials are mostly crystalline structures. When a large number of atoms are regularly and tightly combined into a crystal, those valence electrons in the crystal are all in the crystal energy band. When an external electric field is applied, the electrons in the valence band transition to the conduction band, and can move freely in the conduction band to conduct electricity. The loss of an electron in the valence band is equivalent to the appearance of a positively charged hole, which can also conduct electricity under the action of an external electric field. Therefore, the holes in the valence band and the electrons in the conduction band have a conductive effect, which is collectively called carriers.

A semiconductor with a donor level is called an n-type semiconductor; a semiconductor with an acceptor level is called a p-type semiconductor. At room temperature, most of the donor atoms of n-type semiconductors are ionized by thermal energy, and electrons are excited to the conduction band and become free electrons. Most of the acceptor atoms of p-type semiconductors capture electrons in the valence band and form holes in the valence band. Therefore, n-type semiconductors are mainly conducted by electrons in the conduction band; p-type semiconductors are mainly conducted by holes in the valence band.

In a piece of semiconductor material, the sudden change from the p-type region to the n-type region is called the p-n junction. A space charge zone is formed at the interface. The electrons in the conduction band of the n-type semiconductor diffuse to the p region, and the holes in the valence band of the p-type semiconductor diffuse to the n region. The n-type region near the junction region is positively charged because it is a donor, and the p-type region near the junction region is negatively charged because it is an acceptor. At the interface, an electric field directed from the n zone to the p zone is formed, which is called the built-in electric field (or self-built electric field). This electric field prevents the continued diffusion of electrons and holes.

If a forward bias is applied to the semiconductor material that forms the p-n junction, the p area is connected to the positive electrode and the n area is connected to the negative electrode. The electric field of the forward voltage is opposite to the built-in electric field of the p-n junction, which weakens the built-in electric field’s hindrance to the diffusion of electrons in the crystal so that the free electrons in the n-zone are constantly under the action of the forward voltage.

Diffusion to the p region through the p-n junction. When there are a large number of electrons in the conduction band and holes in the valence band at the same time in the junction zone, they recombine in the injection zone. When the electrons in the conduction band transition to the valence band, the excess energy are emitted in the form of light. come out. This is the mechanism of semiconductor electroluminescence, and this spontaneous recombination luminescence is called spontaneous emission.

To make the p-n junction generate laser light, a particle inversion distribution must be formed in the junction area, a heavily doped semiconductor material must be used, and the current injected into the p-n junction must be large enough (such as 30KA/cm²). In this way, in the local area of ​​the p-n junction, a reversed distribution state of more electrons in the conduction band than holes in the valence band can be formed, thereby generating stimulated radiation and emitting laser light.

The optical resonant cavity of a semiconductor laser resonator is composed of a cleavage plane (110 faces) perpendicular to the p-n junction plane. It has a reflectivity of 35%, which is enough to cause laser oscillation. If it is necessary to increase the reflectivity, a layer of SiO₂ can be plated on the crystal surface, and then a layer of metallic silver film can be plated to obtain a reflectivity of more than 95%.

Once a forward bias is applied to the semiconductor laser, the population inversion occurs in the junction area and recombination occurs.

Conditions for semiconductor stimulated emission

Semiconductor lasers work by injecting carriers, and emitting lasers must meet the following three basic conditions.

• It is necessary to produce sufficient population inversion distribution, that is, the number of particles in the high-energy state is sufficiently larger than the number of particles in the low-energy state.
• There is a suitable resonant cavity that can play a feedback role so that the photons of the stimulated radiation are proliferated to produce laser oscillation.
• A certain threshold condition must be met to make the photon gain equal to or greater than the photon loss.

Injection type homojunction semiconductor laser

The injection-type homojunction GaAs semiconductor laser resonator is the first semiconductor laser to be successfully developed. Homogeneous junction refers to a p-n junction composed of p-type and n-type semiconductors of the same matrix material (such as GaAs), and injection type refers to a pumping method that directly energizes the semiconductor laser and injects current to excite the working substance.

Figure 2.5 (a) shows the typical appearance structure of this laser. There is a small window on the tube shell to output the laser, and the electrode at the lower end of the tube is used for the external power supply. Inside the shell is the laser die, as shown in Figure 2.5(b). There are many shapes of the die, Figure 2.5(c) is a schematic diagram of the structure of the mesa-shaped die. The thickness of the p-n junction is only tens of microns. Generally, a thin layer of p-type GaAs is grown on the bottom of the n-type GaAs village to form the p-n junction.

The resonant cavity of the laser generally directly utilizes two end faces perpendicular to the p-n junction. The refractive index of GaAs is 3.6, and the reflectivity of light perpendicular to the end surface is 32%. In order to increase the output power and reduce the operating current, one of the reflective surfaces is generally plated with gold.

Heterojunction semiconductor laser

Studies have shown that it is difficult for homojunction semiconductor lasers to obtain low threshold currents and achieve continuous operation at room temperature. Therefore, people have developed heterojunction lasers on this basis. Heterojunction lasers are also single heterojunction (SH) lasers and double heterojunction (SH) lasers. Mass junction (DH) laser.

Single heterojunction semiconductor laser. Figure 2.6 shows the structure of a single heterojunction laser (GaAs-P-Ga_1-xAl_xAs) and a schematic diagram of the energy band change, refractive index change, and light intensity distribution of each region. It can be seen that after adding the heterogeneous material GaAs-P-Ga_1-xAl_xAs to the P-GaAs side, the interface electron energy barrier makes the electrons injected into P-GaAs from N-GaAs can only be confined in the P zone to recombine and generate photons. Because of the change of refractive index at the interface of P-GaAs and P-Ga_1-xAl_xAs, the photons generated by the recombination in the active area are reflected and confined in the P-GaAs layer.

The confinement effect of the heterojunction on electrons and photons reduces their loss so that the threshold current density of the single heterojunction laser at room temperature is reduced to 8KA/cm².

In a single heterojunction laser source, the heterojunction plays a role in limiting the diffusion of carriers, but it is not used for injection, so the value of x is generally chosen to be relatively large, such as 0.3<x<0.5. In a semiconductor laser resonator, the thickness d of the active region is critical. If d is too large, it will lose the meaning of carrier limitation, and if d is too small, it will increase the loss. In single heterojunction lasers, d≈2чm is generally adopted.

Double heterojunction semiconductor laser source. Liquid phase epitaxy was used to sequentially grow N-Ga_1-xAl_xAs, P-GaAs, P-Ga_1-xAl_xAs, As single crystal thin layers on the N-GaAs village bottom. There are N- Ga_1-xAl_xAs, as layers and P- Ga_1-xAl_xAs as layers on both sides of the active area P-GaAs, forming N-Ga_1-xAl_xAs /P-GaAs and P-GaAs/P-Ga_1-xAl_xAs two heterojunctions of N-Ga_1-xAl_xAs and P-Ga_1-xAl_xAs are shown in Figure 2.7.

Figure 2.8 shows the energy band, refractive index, and light intensity distribution of a double heterojunction laser. The active region P-GaAs is sandwiched between two wide-bandgap Ga_1-xAl_xAs layers. For this structure, due to its symmetry, it is no longer limited to only electron injection. The double-heterojunction structure allows both electron injection and hole injection to be effectively utilized. If the width of the active region is smaller than the diffusion length of carriers, most of the carriers can diffuse to the active region before recombination. When they reach the heterojunction, they are repelled by the potential barrier and stay in the active region. If the thickness d of the active region is much smaller than the diffusion length of the carriers, the carriers will evenly fill the active region. For this kind of laser, recombination occurs almost uniformly in the active region.

Because both sides of the active area are broadband materials, the effective refractive index jumps in the hierarchy, so that the photons are confined in the active area, and the distribution of the light field is also symmetrical. The double heterojunction can effectively limit the carriers and photons, so the threshold current density of the laser is significantly reduced, and the continuous operation of the laser at room temperature is realized.

After the double heterojunction laser achieves continuous operation at room temperature, the outstanding problem is how to improve the life of the device, which can start from solving the problem of active area structure and heat dissipation. With the different requirements, there are multiple structures of double heterojunction lasers, the more typical one is the bar double heterojunction (DH) laser. In GaAs/ Ga_1-xAl_xAs DH lasers, the bandgap of GaAs corresponds to a laser wavelength of about 0.89um. InP/InGaAsP DH lasers cover a range of 0.92~1.65чm. Since the lowest loss of optical fiber is 1.3~1.6чm, InP/InGaAsP DH lasers have important applications for long-distance optical fiber communication systems, while GaAs/ Ga_1-xAl_xAs DH lasers are often used in short-distance optical fiber communication systems.

YAG solid-state laser

The core of the laser emission is the laser working substance (that is, the working substance containing the metastable energy level) in the laser that can realize the population inversion, such as the laser whose working substance is crystalline or glass, which is called crystal laser and glass laser, respectively. Usually, these two types of lasers are collectively referred to as solid-state lasers. Among the lasers, the solid-state laser was the first to develop. This kind of laser has a small size, high output power, and convenient application. There are three main working materials for solid-state lasers; neodymium-doped yttrium aluminum garnet (Nd: YAG), with an output wavelength of 1.06 чm, which is white and blue; neodymium glass, with an output wavelength of 1.06 чm, which is purple-blue; ruby, the output wavelength is 0.694чm, which is red.

YAG lasers are the most common type of solid-state lasers. YAG lasers came out later than ruby ​​and neodymium glass lasers. In 1964, YAG crystals were successfully developed. After several years of hard work, the optical and physical properties of YAG crystal materials have been continuously improved, and the preparation process of large-size YAG crystals has been overcome. By 1971, large-size Nd: YAG crystals with a diameter of 40mm and a length of 200mm were able to be drawn, which provided high-quality crystals at a moderate cost for the development of YAG lasers, and promoted the development of the YAG lasers.

In the 1970s, the development of lasers ushered in an upsurge in the research and application of YAG lasers. Research institutions in many industrially developed countries invested a lot of manpower and financial resources to study how to improve the efficiency, power, and reliability of YAG lasers and solve engineering problems. Some application results have been achieved in the fields of laser ranging, laser radar, laser industrial processing, and laser medical treatment. For example, the YAG Laser Precision Tracking Radar (PATS system) was successfully used in the missile measurement range in 1971 by Silvania Company of the United States. In the 1980s, the research and application of YAG lasers have matured and entered a period of rapid development, becoming the mainstream of the development and application of various lasers.

The structure of YAG laser

Generally speaking, the YAG laser refers to the Nd: YAG laser doped with trivalent Nd³⁺ in the yttrium aluminum garnet (YAG) crystal. It emits a near-infrared laser source of 1.06 чm and is a solid-state laser that can work continuously at room temperature. In the small and medium-power pulsed lasers, Nd: YAG lasers are currently used in quantities far more than other lasers. The single pulse power emitted by this laser can reach 107W or higher, which can process materials at extremely high speeds. YAG lasers have high energy, high peak power, compact structure, firmness and durability, reliable performance, safe processing, simple control, etc. Features, it is widely used in industry, national defense, medical treatment, scientific research, and other fields. Nd: YAG crystal has excellent thermal properties and is very suitable for making continuous and repetitive laser devices.

YAG laser includes YAG laser source rod, xenon lamp, condenser cavity, Q switch, polarizer, total mirror, semi-feedback, etc., the structure is shown in Figure 2.9

The working medium of the YAG micro-optical device is Nd: YAG rod, the sides are roughened, the two ends are ground into a plane, and the antireflection coating is plated. The frequency doubling crystal adopts potassium tetany oxide (KTP) crystal with an anti-reflection coating on both sides. The laser spectroscopy cavity adopts a plano-concave stable cavity, the cavity length is 530mm, and the radius of curvature of the plano-concave total mirror is 2m. Please use high-transmittance and high-reflection quartz lenses for the galvanometer mirror, and the modulation frequency of the Q switch device is adjustable.

The laser resonant cavity is a three-mirror folded cavity with 1.3mm spectral line resonance, including two semiconductor laser pump modules, each module is composed of 20W continuous-wave semiconductor laser arrays (LD) with a center wavelength of 808nm, and the total spectral line width Less than 3nm, the laser crystal is 3mm×75mm Nd: YAG, the doping concentration is 1.0%, and a 1.319nm laser 90° quartz rotator is inserted between the two LD pump modules to compensate for the thermally induced birefringence effect.

The stable areas of the resonant cavity of the radially polarized light and the radially polarized light overlap each other, which is beneficial to increase the output power and improve the beam quality. The acousto-optic Q switch with high diffraction loss is used to generate Q-switched pulse output, and the repetition frequency can be adjusted in the range of 1~50kHz. The designed resonant cavity produces a real focus on the folded arm to increase the power density, which is beneficial to nonlinear frequency conversion.

Plano mirror M₁ is coated with 1319nm, 659. 4nm double high-reflection film system, plano-concave mirror M₂ is an output coupling mirror, and plano-concave mirror M₃ is 1319nm, 659nm, 440nm three-wavelength high-reflection film. Since the 1064nm spectral line intensity of the Nd: YAG crystal is three times that of the 1319nm wavelength, the M₁, M₂, M₃, cavity mirror design requires the transmittance of the 1064nm wavelength to be greater than 60%, which is very important to suppress the 1064nm laser oscillation. of.

In order to reduce the insertion loss in the cavity, all components in the cavity should be coated with an anti-reflection coating. The semiconductor laser does not add any shaping measures or optical imaging components, and the Nd: YAG crystal is pumped from the adjacent 120° directions. By optimizing the pumping parameters, a relatively uniform and Gauss-like gain profile can be obtained. This design is simple, compact, and practical, and can be better matched with the Eigenmode of the resonator, which is beneficial to improve the energy extraction efficiency and beam quality.

Because lithium tribemate (LBO) crystal has a high damage threshold, low absorption of fundamental frequency light, and frequency-doubled light, it can achieve 1319nm double frequency and triple frequency phase matching and has the advantages of suitable effective nonlinear coefficients, so choose two LBO crystals are used as crystals for intracavity frequency doubling and intracavity sum-frequency.

Output characteristics of YAG laser

• Lamp-pumped Nd: YAG laser. The structure is shown in Figure 2.10 and Figure 2.11. The gain medium Nd: YAG is rod-shaped, and it is often placed on the focal line of the double-sugar circle reflection condenser cavity. The two pump lamps are located on the two outer focal lines of the double ellipse, and the cooling water flows between the pump lamp and the laser rod with a glass tube sleeve.
• In high-power lasers, the thermal effect of the laser rod limits the maximum output power of each laser rod. The heat inside the laser rod and the cooling of the surface of the laser rod cause the temperature gradient of the crystal so that the maximum power of the pump must be lower than to cause damage. The stress limit. The effective power range of a single rod Nd: YAG laser is 50~800W. Higher power Nd: YAG lasers can be obtained by connecting Nd: YAG laser rods in series.
• Diode-pumped Nd: YAG laser. The structure of a diode-pumped Nd: YAG laser is shown in Figure 2.12, and a GaAlAs semiconductor laser is used as the pump light source.
• Using a semiconductor laser as the pump source increases the life of the components and eliminates the requirement of regular replacement of the pump lamp when using lamp pumping. The diode-pumped Nd: YAG laser has higher reliability and longer working time.
• The high conversion efficiency of the diode-pumped Nd: YAG laser comes from the good spectral matching between the emission spectrum of the semiconductor laser and the absorption of Nd: YAG. GaAIAs semiconductor laser emits a narrow-band wavelength. By precisely adjusting the Al content, it can emit light at 808nm, which is in the absorption band of Nd³⁺ particles. The electro-optical conversion efficiency of semiconductor lasers is approximately 40%-50%, which is the reason that diode-pumped Nd; YAG lasers can achieve a conversion efficiency of more than 10%. While the lamp is excited to produce white light, the Nd: YAG crystal only absorbs a small part of the spectrum, which leads to its low efficiency.

Fiber laser

Classification of fiber lasers

Fiber lasers are lasers that use optical fibers as the laser source medium. According to the incentive mechanism, it can be divided into the following four categories.

• Rare-earth-doped fiber laser source, through doping different rare-earth ions in the fiber matrix material to obtain the laser output of the required wavelength band.
• Fiber lasers made using the nonlinear effects of fibers, such as stimulated Raman scattering (SRS), etc.
• Single-crystal fiber lasers, including ruby ​​single-crystal fiber lasers, Nd: YAG single product fiber lasers, etc.
• Dye fiber laser, by filling the plastic core or cladding with dye to realize laser output.

Among these types of fiber lasers, fiber lasers and amplifiers doped with rare-earth ions are the most important and have the fastest development. They have been applied in the fields of fiber communication, fiber sensing, and laser material processing, this type of laser.

Waveguide principle of fiber laser

The geometric structure of a single-layer fiber laser source is shown in Figure 2.13. Compared with solid-state lasers source, fiber lasers have at least one free beam path formed in the laser resonator, and beam formation and introduction into fiber lasers are realized in optical waveguides. Generally, these optical waveguides are based on rare-earth-doped optoelectronic dielectric materials. For example, silicon, phosphate glass, and fluoride glass materials show an attenuation of about 10dB/km, which is several orders of magnitude less than solid-state laser crystals. Compared with crystalline solid materials, the absorption and emission bands of rare-earth ions show a broadened spectrum. This is because the interaction of the glass substrate reduces the frequency stability and the required width of the pump light source. Therefore, it is necessary to choose a laser diode pump source with a suitable wavelength for fiber lasers.

The optical fiber contains a rare-earth-doped active core with a refractive index of n₁, usually surrounded by a layer of pure silica glass cladding, and the refractive index of the cladding is n₂<n₁. Therefore, based on the total reflection inside the interface between the core and the cladding, the waveguide is generated in the core layer. For pump radiation and laser radiation, the core layer of the fiber laser is both an active medium and a waveguide. The entire optical fiber is protected from external influences by a polymer outer layer.

For optically excited fiber lasers, the pump radiation is coupled to the laser core through the fiber surface. However, if it is axially pumped, the pump radiation must be coupled into a waveguide of only a few microns. Therefore, a highly transparent pump radiation source must be used to excite the multi-mode fiber, and the current output power of the radiation source is limited to about 1W. In order to amplify the pump power proportionally, it is necessary to match the beam parameters of the large-opening fiber with the high-power semiconductor laser array. However, the enlarged fiber active core allows higher transverse mode oscillations, which will result in reduced beam quality. At present, a double-clad design is used, that is, an isolated core layer is used to pump and emit lasers, and good results can be obtained.

Double-clad fiber laser

Double-clad doped fiber consists of four parts: core, inner cladding, outer cladding and protective layer.

The function of the fiber core is to absorb the incoming pump light and confine the radiated laser light in the core; as a waveguide, confine the laser light to transmit in the core and control the mode.

The role of the inner cladding layer is to wrap the core and confine the radiated laser light within the core; as a waveguide, the multimode transmission of the pump light coupled to the inner cladding layer makes it reflect back and forth between the inner cladding layer and the outer cladding layer. Pass through the single-mode fiber core and be absorbed

For double-clad fiber lasers, the pump radiation is not directly emitted to the active core layer, but into the surrounding multimode core layer. The pump core layer is also like the cladding layer. In order to realize the optical waveguide characteristics of the pump core layer to the active core layer, the surrounding coating must have a small refractive index. Usually, fluorine-doped silica glass or a highly transparent polymer with a low refractive index is used. The typical diameter of the pump core is several hundred microns, and its numerical aperture NA≈0.32~0.7, as shown in Figure 2.14.

The radiation emitted to the pump core is coupled into the laser core over the entire length of the fiber, where it is absorbed by the rare-earth ions, and all high-level light is excited. Using this technology, multi-mode pump radiation can be effectively converted from high-power semiconductor lasers into laser radiation, and it has excellent beam quality.

Technical characteristics of fiber laser source

Fiber lasers provide the possibility to overcome the limitation of the calibrated output power of solid-state lasers while maintaining the beam quality. The quality of the final laser beam depends on the refractive index profile of the fiber, and the refractive index profile of the fiber ultimately depends on the geometric size and the numerical aperture of the activated waveguide. When the fundamental mode is propagated, the laser oscillation has nothing to do with external factors. This means that compared with other (even semiconductor pumped) solid-state lasers, fiber lasers do not have thermo-optical effects.

The prism effect caused by heat and the birefringence effect caused by pressure in the active zone will cause the beam quality to decrease. When the pump energy is transported, the fiber laser does not observe a decrease in efficiency even at high power.

For fiber laser source, the thermal load caused by the pumping process will expand to a longer area. Because of the larger surface area to volume ratio, the thermal effect is easier to eliminate. Therefore, the temperature rise of the fiber laser core is small compared to solid semiconductor pump lasers. Therefore, when the laser is working, the quantum efficiency is attenuated due to the increasing temperature, which plays a secondary role in fiber lasers.

Taken together, fiber lasers source have the following main advantages.

• Optical fiber as a guided wave medium has high coupling efficiency, small core diameter, high power density is easily formed in the core, and can be easily connected to the current optical fiber communication system efficiently, and the formed laser has high conversion efficiency and low laser threshold., The output beam quality is good and the line width is narrow.
• Because the optical fiber has a large surface-to-volume ratio, the heat dissipation effect is good, and the ambient temperature is allowed to be between -20~+70℃, without a huge water cooling system, only simple air cooling.
• It can work in harsh environments, such as high impact, high vibration, high temperature, and dusty conditions.
• Because the optical fiber has excellent flexibility, the laser can be designed to be small and flexible, compact in appearance, easy to system integration, and cost-effective.
• Has quite a lot of tunable parameters and selectivity. For example, a Bragg fiber grating with appropriate wavelength and transmittance is directly written on both ends of a double-clad fiber to replace the resonant cavity formed by mirror reflection. The all-fiber Raman laser is composed of a unidirectional fiber ring, a circular waveguide cavity. The signal in the cavity is directly amplified by the pump light without population inversion.